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各向異性表面張力條件下定向凝固共晶生長(zhǎng)形態(tài)穩(wěn)定性(上)

來(lái)源:物理學(xué)報(bào) 瀏覽 7 次 發(fā)布時(shí)間:2025-03-12

1引言


共晶界面形態(tài)穩(wěn)定性是凝聚態(tài)物理學(xué)和材料科學(xué)的一個(gè)基礎(chǔ)課題[1?6].定向凝固過(guò)程中晶體形態(tài)的不穩(wěn)定性可能會(huì)導(dǎo)致不同的微觀結(jié)構(gòu),最終極大地影響產(chǎn)品的物理和機(jī)械性能.Hele-Shaw生長(zhǎng)室是觀察共晶定向凝固過(guò)程的典型實(shí)驗(yàn)裝置,它是一個(gè)封存有樣品材料的十分扁平的容器.生長(zhǎng)室設(shè)置了一個(gè)高溫區(qū)與一個(gè)低溫區(qū),高溫區(qū)的溫度設(shè)為T(mén)H,低溫區(qū)的溫度為T(mén)C,材料的凝固溫度TM介于兩者之間:即TC。


固體材料本身并非各向同性介質(zhì),其晶格結(jié)構(gòu)使固體體內(nèi)的物理量以及表面的物理參數(shù)依賴于取向,變?yōu)楦飨虍愋粤?固體材料這些物理參量的各向異性特征對(duì)凝固過(guò)程動(dòng)力學(xué)與界面穩(wěn)定性機(jī)理以至對(duì)界面微結(jié)構(gòu)圖案的形成與選擇造成重要的影響[14].王志軍等[15,16]研究了各向異性表面張力對(duì)定向凝固過(guò)程中初始平界面穩(wěn)定性的影響,發(fā)現(xiàn)各向異性表面張力的非線性效應(yīng)導(dǎo)致界面傾斜生長(zhǎng).Chen等[17]研究了各向異性表面張力對(duì)定向凝固過(guò)程中球晶生長(zhǎng)的影響,發(fā)現(xiàn)在各向異性表面張力作用下,球晶生長(zhǎng)初始階段部分界面首先向內(nèi)移動(dòng),達(dá)到一定的熔化深度后向外移動(dòng).Xu[18]研究了各向異性表面張力對(duì)定向凝固過(guò)程中枝晶生長(zhǎng)的影響,發(fā)現(xiàn)當(dāng)存在各向異性表面張力時(shí),枝晶系統(tǒng)具有兩種不同的整體不穩(wěn)定性機(jī)理:震蕩不穩(wěn)定性與低頻不穩(wěn)定性.陳明文等[19]研究了各向異性表面張力對(duì)定向凝固過(guò)程中深胞晶生長(zhǎng)的影響,發(fā)現(xiàn)當(dāng)各向異性表面張力增大時(shí),深胞晶界面全長(zhǎng)增大,根部低端的曲率半徑增大.本文應(yīng)用多重變量展開(kāi)法研究各向異性表面張力條件下定向凝固共晶生長(zhǎng)形態(tài)穩(wěn)定性,揭示了各向異性表面張力對(duì)共晶生長(zhǎng)不穩(wěn)定性區(qū)域大小的影響.

圖1共晶結(jié)構(gòu)的示意圖


2定向凝固系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型


假設(shè)由α和β兩相組成的片層共晶以拉度V向液相穩(wěn)定推進(jìn),共晶片層與固-液界面垂直.選取固-液界面處α相片層的中心為坐標(biāo)原點(diǎn),x軸與片層垂直,z軸與晶體生長(zhǎng)方向平行,如圖1所示.共晶界面用函數(shù)z=h(x,t)表示,它也是共晶生長(zhǎng)解的一部分.


本文引用Xu等[12]的無(wú)量綱化尺度,并且假設(shè)主間距的一半?w遠(yuǎn)小于溶質(zhì)擴(kuò)散長(zhǎng)度?D=κD/V,即?w??D,其中κD為溶質(zhì)擴(kuò)散系數(shù).選取?w為長(zhǎng)度尺度,V為速度尺度,?w/V為時(shí)間尺度,?H/(cPρL)為溫度尺度,Ce為濃度尺度,其中?H是單位體積內(nèi)固相潛熱,cP是比熱容,ρL是溶質(zhì)密度,Ce是共晶濃度.無(wú)量綱溫度ˉT=(T?Te)/[?H/cPρL],無(wú)量綱濃度ˉC=(C?Ce)/Ce,無(wú)量綱無(wú)窮遠(yuǎn)處濃度ˉC∞=[(C∞)D?Ce]/Ce,其中Te是共晶溫度,(C∞)D是有量綱無(wú)窮遠(yuǎn)處濃度.為了書(shū)寫(xiě)簡(jiǎn)潔起見(jiàn),下文省略掉無(wú)量綱量頭上的符號(hào)“-”.各向異性表面張力用四重對(duì)稱函數(shù)γ(θ)=γ0[1+γ4cos(4θ)][14]表示,其中γ0為各向同性表面張力系數(shù),γ4為各向異性表面張力系數(shù),θ為界面法向量與z軸之間的夾角.共晶生長(zhǎng)系統(tǒng)還包含以下無(wú)量綱量:Peclet數(shù)Pe=?w/?D;形態(tài)參數(shù)M=(?mCe)/[?H/(cPρL)],m是液相線系數(shù);界面穩(wěn)定性參數(shù)Γ=?c/?w,?c是毛細(xì)長(zhǎng)度,?c=γ0cPρLTe/(?H)2;無(wú)量綱溫度梯度G=(G)D?w/[?H/(cPρL)],(G)D是與實(shí)驗(yàn)裝置相關(guān)的有量綱溫度梯度;無(wú)量綱間距參數(shù)Wc=wc/?w,wc表示α相寬度的一半.


注意到γ0,γ4,m和分離系數(shù)κ都是分段常值函數(shù),在α相和β相都有各自對(duì)應(yīng)的常數(shù)值.用q來(lái)代表這類物理量,qα表示其在α相的函數(shù)值,qβ表示其在β相的函數(shù)值.由于溶質(zhì)擴(kuò)散長(zhǎng)度?D遠(yuǎn)小于熱擴(kuò)散長(zhǎng)度?T=κT/V,即?D??T,其中κT是熱擴(kuò)散系數(shù).界面溫度可以近似表示為T(mén)L=TS~G(z?z?),其中TL,TS分別是液相和固相溫度,z?是與α相尖端位置有關(guān)的常數(shù).對(duì)于典型的實(shí)驗(yàn)材料,Peclet數(shù)Pe很小.以CBr4-C4Cl6[20,21]生長(zhǎng)系統(tǒng)為例,Pe≈0.01,?!?.5×10?5.為了做漸近分析,本文把Peclet數(shù)Pe作為基本的小參數(shù),假設(shè)ε=Pe?1且Γ=ε2ˉΓ,ˉΓ=O(1).

為考察共晶生長(zhǎng)形態(tài)穩(wěn)定性,利用共晶生長(zhǎng)的定常解作為基態(tài)進(jìn)行穩(wěn)定性分析.在初始時(shí)刻t=0時(shí)對(duì)基態(tài)解做一小擾動(dòng),并將在t>0以后形成的非定常解分解成兩個(gè)部分:


其中{CB,hB}是系統(tǒng)的基態(tài),{e C,?h}是系統(tǒng)的擾動(dòng)態(tài).假設(shè)初始擾動(dòng)態(tài)的范數(shù)共晶生長(zhǎng)系統(tǒng)的定常解為[11]:


其中


θ?是α相的接觸角,θ+是β相的接觸角,這兩個(gè)接觸角與夾度θα,θβ以及傾斜角ψ之間滿足關(guān)系式θ?=θα?π/2?ψ,θ+=θβ?π/2+ψ,如圖2所示.


將系統(tǒng)方程以振幅遠(yuǎn)小于1進(jìn)行線性化處理,結(jié)合(1)式—(4)式,可以得到共晶生長(zhǎng)系統(tǒng)的擾動(dòng)態(tài)滿足以下控制方程和邊界條件:


1)在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)域,當(dāng)z→∞時(shí),


2)在側(cè)壁x=0和x=1上,


(b)反對(duì)稱(antisymmetric)模式(A-模式)


3)在界面z=hB上,


(a)Gibbs-Thomson條件


(a)對(duì)稱(symmetric)模式(S-模式)


由三角誘導(dǎo)公式可知,


于是有


結(jié)合(9)式和(10)式,Gibbs-Thomson條件可以改寫(xiě)為


(b)雜質(zhì)質(zhì)量守恒條件


3擾動(dòng)態(tài)的多重變量漸近展開(kāi)解


為了得到系統(tǒng)擾動(dòng)態(tài)的漸近解,引入快變量[12]


按照多重變量(x,z,x+,z+,t+),解可以寫(xiě)成如下形式:


并對(duì)波數(shù)函數(shù)和特征值做如下展開(kāi):